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振蕩器指標參數:初始頻率公差、頻率對溫度的穩定度及噪音和抖動特性等。

全硅MEMS 振蕩器通過內建電路對硅諧振單元的溫度特性進行溫度補償,以此確保穩定性。這種用于補償的電路被稱為“小數分頻鎖相環”電路。Frac-N PLL 指使用了小數分頻器的鎖相環電路,它可以產生輸入頻率的小數倍的輸出頻率。全硅MEMS 振蕩器使用這種方法改變硅諧振單元在各溫度點的分頻比,以此控制輸出信號的起振頻率進行溫度補償。

石英晶體振蕩單元的振蕩器無需溫度補償也可應對較寬的溫度范圍,并且沒有使用進行溫度補償的鎖相環電路。它可以保持石英本身所具有的針對溫度變化而相對穩定的溫度特性,即不出現頻率間斷性跳動的情況。

硅諧振單元也可以通過尺寸管理、改換電極材料等方法個別進行溫度補償,而只改變初始值的分頻比。但這將導致全硅MEMS 振蕩器生產效率下降、單價上升的后果,有損于其自身優勢。


MEMS 振荡器和石英晶体振荡器的特性 | FAQS
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